"電荷泵"一詞也有用在鎖相環(huán)（PLL）電路中，不過作用不同。鎖相環(huán)中的電荷泵只是雙極性的切換式電流源，因此可以輸出正負交換的電流脈沖給鎖相環(huán)的濾波電路，但其電壓只能在電源和地點之間，無法產(chǎn)生超過電源或低于地點的電壓。

 

電荷泵常見的應用是RS-232信號轉(zhuǎn)換IC，可以從單一的5V或3V電源供應器產(chǎn)生正負電壓（多半是+10V及-10V）。

 

電荷泵也可以用在LCD或是白光LED的驅(qū)動電路，從單一電源（例如電池）產(chǎn)生高偏壓的電壓。

 

電荷泵廣泛應用在NMOS的內(nèi)存及微處理器中，用來產(chǎn)生連接到IC基層（Substrate）的負電壓VBB（約-3V）。這可以確保N+至基層的結(jié)點（junction）都有3V甚至更高的逆向偏壓，可以降低結(jié)點電容，并且提升電路的速度。

 

到2007年為止，幾乎所有的EEPROM及快閃存儲器（flash memory）都已整合了電荷泵電路。這類的芯片在記憶單元寫入新的值前，需要用高電壓的脈沖先清除該區(qū)塊已有的資料。早期的EEPROM及快閃存儲器需要二種電源：用來讀取資料的+5V以及用來清除資料的+12V。截至2007年，市面上可購得的EEPROM及快閃存儲器都只需要一組電源，多半是1.8V或3.3V。而清除記憶區(qū)塊需要的高電壓則由芯片中的電荷泵自行產(chǎn)生。

 

在由n通道的功率MOSFET或絕緣柵雙極晶體管（IGBT）組成的H橋電路中，電荷泵也用在H橋high side功率元件的柵極驅(qū)動器上。當H橋其中一只中心點為低電壓時，會經(jīng)由二極管向電容器充電，之后充電的電荷會來讓high side的柵極比電源電壓高一些，好讓功率元件導通。假設H橋正常切換的情形下，上述的作法可以正常工作，免去了另一個獨立的電源供應器，也讓開關可以使用效率更好的n通道元件。這種電路（需要周期切換high side功率元件）也稱為bootstrap電路，有時也和電荷泵電路會有些差異。

 

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